MOSFET Vishay canal N, IPAK (TO-251) 4.3 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
IPAK (TO-251)
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
540 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
6,1 nC @ 5 V
Largeur
2.38mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Taille
6.22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 7,50
€ 1,50 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,50 | € 7,50 |
| 50 - 120 | € 1,20 | € 6,00 |
| 125 - 245 | € 1,126 | € 5,63 |
| 250 - 495 | € 0,976 | € 4,88 |
| 500+ | € 0,904 | € 4,52 |
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-100 V
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
540 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
6,1 nC @ 5 V
Largeur
2.38mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Taille
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