Transistor MOSFET Vishay canal N, SOT-363 1.13 A 20 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.13 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broches
6
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.45V
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.05mm
Largeur
1.25mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.9mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, Vishay Semiconductors
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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VishayType de canal
N
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1.13 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broches
6
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.45V
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.05mm
Largeur
1.25mm
Température de fonctionnement minimum
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