Transistor MOSFET Vishay canal N, SOIC 20 A 100 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
12 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
7,8 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
45,6 nC @ 10 V
Largeur
4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
1.5mm
Séries
ThunderFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
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Prix sur demande
Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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2500
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N
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20,2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
12 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
7,8 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
45,6 nC @ 10 V
Largeur
4mm
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