Transistor MOSFET Vishay canal P, SOIC 2.4 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2.4 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
14,5 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
5mm
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
1.55mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
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P
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-60 V
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CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
5mm
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Si
Hauteur
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