MOSFET Vishay canal N/P, SOT-363 4,3 A, 4,5 A 12 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
4.3 A, 4.5 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ, 170 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
6,5 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
2.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
13,1 nC @ 8 V, 9,7 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Vishay Semiconductors
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 10,08
€ 0,504 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Standard
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,504 | € 10,08 |
| 200 - 480 | € 0,444 | € 8,89 |
| 500 - 980 | € 0,373 | € 7,46 |
| 1000 - 1980 | € 0,353 | € 7,06 |
| 2000+ | € 0,302 | € 6,04 |
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Tension Drain Source maximum
12 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ, 170 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
6,5 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
2.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.15mm
Charge de Grille type @ Vgs
13,1 nC @ 8 V, 9,7 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
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