MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 110 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 710-5014PMarque: VishayN° de pièce Mfr: SUM110P06-08L-E3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

110 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type d'emballage

D2PAK (TO-263)

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

3.75 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

160 nC @ 10 V

Largeur

9.65mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.41mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

4.83mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

Taiwan, Province Of China

Détails du produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 71,51

€ 2,861 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 110 A 60 V, 3 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

25

Disponible en multiples de 5
25€ 71,51
30€ 85,82
35€ 100,12
40€ 114,42
45€ 128,72
50€ 134,58
55€ 148,04
60€ 161,49
65€ 174,95
70€ 188,41
75€ 201,87
80€ 215,32
85€ 228,78
90€ 242,24
95€ 255,70

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
25 - 45€ 2,861€ 14,30
50 - 120€ 2,692€ 13,46
125 - 245€ 2,527€ 12,64
250+€ 2,02€ 10,10

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1V

Dissipation de puissance maximum

3.75 W

Configuration du transistor

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Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

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Matériau du transistor

Si

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Longueur

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Taille

4.83mm

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