MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-23 115 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
115 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
13.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 70,40
€ 0,023 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,023 | € 70,40 |
| 6000 - 12000 | € 0,023 | € 70,40 |
| 15000 - 27000 | € 0,021 | € 63,36 |
| 30000+ | € 0,02 | € 59,84 |
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DiodesZetexType de canal
N
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115 mA
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-60 V
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
13.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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Taille
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China
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