MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-23 6,4 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6.4 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
41 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
780 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
15,6 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 255,97
€ 0,085 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | € 0,085 | € 255,97 |
| 9000+ | € 0,083 | € 248,95 |
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N
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6.4 A
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Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
41 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
780 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
15,6 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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Taille
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