MOSFET DiodesZetex canal N, DPAK (TO-252) 28 A 40 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
28 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
32 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
21,3 nC @ 10 V
Largeur
6.7mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1V
Hauteur
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 84,02
€ 0,42 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
200
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,42 | € 8,40 |
| 500 - 1980 | € 0,372 | € 7,43 |
| 2000+ | € 0,321 | € 6,42 |
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N
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28 A
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40 V
Type de conditionnement
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
32 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
21,3 nC @ 10 V
Largeur
6.7mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1V
Hauteur
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