MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-23 2 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
806 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
3,9 nC @ 10 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.05mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 40,32
€ 0,269 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
150
€ 40,32
€ 0,269 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
150
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 150 - 725 | € 0,269 | € 6,72 |
| 750 - 1475 | € 0,227 | € 5,67 |
| 1500+ | € 0,185 | € 4,62 |
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DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
806 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
3,9 nC @ 10 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.05mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
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