Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
28 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
TO-3PN
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
310 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
15.8mm
Largeur
5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
18.9mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 11 → 30 A, Fairchild Semiconductor
Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
1
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Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
28 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
TO-3PN
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
310 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
110 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
15.8mm
Largeur
5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
18.9mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 11 → 30 A, Fairchild Semiconductor
Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.