Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Série
HEXFET
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,295 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicon
€ 13,87
€ 2,774 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 13,87
€ 2,774 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
5 - 45 | € 2,774 | € 13,87 |
50 - 120 | € 2,441 | € 12,21 |
125 - 245 | € 2,303 | € 11,51 |
250 - 495 | € 2,136 | € 10,68 |
500+ | € 1,97 | € 9,85 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Série
HEXFET
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,295 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Silicon