MOSFET Infineon canal N, TDSON 46 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
46 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
OptiMOS™
Type de conditionnement
TDSON
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
14,6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.3V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
36 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ d'Infineon
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Boîtier vert (sans plomb)
Très faible RDS(on)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 18,08
€ 0,723 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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46 A
Tension Drain Source maximum
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Type de conditionnement
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Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
14,6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.3V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
36 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
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Longueur
5.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
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Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
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