MOSFET Infineon canal N, TDSON 23 A 80 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
23 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Séries
OptiMOS™ 3
Type de boîtier
TDSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
66 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
32 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
6,8 nC @ 10 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.35mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, 60 à 80 V
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
Placage compatible sans plomb
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 4,36
€ 0,872 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
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InfineonType de canal
N
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Type de montage
CMS
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8
Résistance Drain Source maximum
66 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
32 W
Configuration du transistor
Single
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±20 V
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6,8 nC @ 10 V
Largeur
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Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.35mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, 60 à 80 V
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
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MOSFET Transistors, Infineon
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