Transistor MOSFET Infineon canal P, SOT-223 1,9 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.9 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
SIPMOS®
Type de conditionnement
SOT-223-5
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
300 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.5mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistors MOSFET canal P Infineon SIPMOS®
Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.
· Conforme AEC Q101 (veuillez vous référer à la fiche technique)
· Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 283,94
€ 0,284 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 0,284 | € 283,94 |
| 2000 - 2000 | € 0,27 | € 269,86 |
| 3000+ | € 0,252 | € 252,26 |
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P
Courant continu de Drain maximum
1.9 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
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Type de conditionnement
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Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
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300 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.5mm
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1
Longueur
6.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.
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