Transistor MOSFET Infineon canal P, SOT-23 1,18 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.18 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
3,6 nC @ 4,5 V
Largeur
1.3mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
China
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
50
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P
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1.18 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
280 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
3,6 nC @ 4,5 V
Largeur
1.3mm
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