Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
89 A
Tension Drain Source maximum
2 000 V
Série
CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
Type de conditionnement
PG-TO247-4-PLUS-NT14
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
Malaysia
€ 106,59
€ 106,59 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 106,59
€ 106,59 Each (hors TVA)
Standard
1
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Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 9 | € 106,59 |
10+ | € 95,94 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
89 A
Tension Drain Source maximum
2 000 V
Série
CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
Type de conditionnement
PG-TO247-4-PLUS-NT14
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
Malaysia