MOSFET Infineon canal N, PG-TO247-4-PLUS-NT14 89 A 2 000 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
89 A
Tension Drain Source maximum
2 000 V
Séries
CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
Type de conditionnement
PG-TO247-4-PLUS-NT14
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Pays d'origine
Malaysia
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Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
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