MOSFET Infineon canal N, D2PAK-7 180 A 40 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
180 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
OptiMOS™ 3
Type de conditionnement
D2PAK-7
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum
1,1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
9.45mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
188 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, jusqu'à 40 V
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
Placage compatible sans plomb
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 1 490,09
€ 1,49 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Tension Drain Source maximum
40 V
Série
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Type de conditionnement
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Type de fixation
CMS
Nombre de broches
7
Résistance Drain Source maximum
1,1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
9.45mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
188 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
4.57mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Détails du produit
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MOSFET à commutation rapide pour SMPS
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Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
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Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
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