Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
112 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
600V CoolMOS
Type de conditionnement
PG-HDSOP-22
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
22
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
MOSFET Infineon canal N, PG-HDSOP-22 112 A 600 V, 22 broches
1
Prix sur demande
MOSFET Infineon canal N, PG-HDSOP-22 112 A 600 V, 22 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
112 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
600V CoolMOS
Type de conditionnement
PG-HDSOP-22
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
22
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC