MOSFET Infineon canal N, A-220 69 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
69 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
OptiMOS™ 2
Type d'emballage
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
15,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.57mm
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
58 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
15.95mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™2 d'Infineon
La famille Infineon OptiMOS™2 N-Canal offre la plus faible la résistance à l'état passant de l'industrie au sein de son groupe de tension. La série de transistor Power MOSFET peut être utilisée dans de nombreuses applications, y compris les télécommunications et communications haute fréquence, le solaire, les lecteurs basse tension et les alimentations de serveur. La famille de produits OptiMOS 2 offre des plages de 20 V et supérieures et propose une sélection de différents types de boîtiers.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 57,88
€ 1,158 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,158 | € 57,88 |
| 100 - 200 | € 0,938 | € 46,89 |
| 250 - 450 | € 0,91 | € 45,48 |
| 500 - 950 | € 0,886 | € 44,31 |
| 1000+ | € 0,864 | € 43,21 |
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N
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69 A
Tension Drain Source maximum
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Série
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Type d'emballage
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Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
15,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
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1
Largeur
4.57mm
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
58 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
15.95mm
Pays d'origine
China
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Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™2 d'Infineon
La famille Infineon OptiMOS™2 N-Canal offre la plus faible la résistance à l'état passant de l'industrie au sein de son groupe de tension. La série de transistor Power MOSFET peut être utilisée dans de nombreuses applications, y compris les télécommunications et communications haute fréquence, le solaire, les lecteurs basse tension et les alimentations de serveur. La famille de produits OptiMOS 2 offre des plages de 20 V et supérieures et propose une sélection de différents types de boîtiers.
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