MOSFET Infineon canal N, A-247 83 A 700 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
83 A
Tension Drain Source maximum
700 V
Type de boîtier
TO-247
Séries
CoolMOS™ C6
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
37 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
500000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
330 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.21mm
Longueur
16.13mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.85V
Taille
21.1mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 355,23
€ 11,841 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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30
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 11,841 | € 355,23 |
| 60 - 60 | € 11,249 | € 337,46 |
| 90+ | € 10,538 | € 316,14 |
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N
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83 A
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Type de boîtier
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Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
37 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
500000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
330 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.21mm
Longueur
16.13mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.85V
Taille
21.1mm
Pays d'origine
Malaysia
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MOSFET Transistors, Infineon
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