Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
59 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
HEXFET
Type de boîtier
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
18 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
160 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
82 nF @ 10 V
Largeur
4.69mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.54mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
8.77mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 2,52
€ 1,26 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 2,52
€ 1,26 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
2
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
2 - 18 | € 1,26 | € 2,52 |
20 - 48 | € 1,14 | € 2,28 |
50 - 98 | € 1,071 | € 2,14 |
100 - 198 | € 0,996 | € 1,99 |
200+ | € 0,922 | € 1,84 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
59 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
HEXFET
Type de boîtier
TO-220AB
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
18 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
160 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
82 nF @ 10 V
Largeur
4.69mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.54mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
8.77mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.