MOSFET Infineon canal N, SO-8 11 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SO-8
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
18.2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.25V
Tension de seuil minimale de la grille
1.35V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
7,2 nC @ 4,5 V
Largeur
4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Tension directe de la diode
1V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.5mm
Série
IRF7807ZPbF
Idée. Créer. Collaborer
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Prix sur demande
Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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SO-8
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8
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.25V
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1.35V
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Configuration du transistor
Single
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20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
7,2 nC @ 4,5 V
Largeur
4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
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