MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 80 A 75 V, 3 broches

N° de stock RS: 688-6923Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IRFB3607PBF
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Documents techniques

Spécifications

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

140 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

56 nC @ 10 V

Width

4.82mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.66mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

9.02mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon

MOSFET de commande moteur

Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.

MOSFET redresseur synchrone

La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 3,99

€ 0,799 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 45€ 0,799€ 3,99
50 - 120€ 0,535€ 2,67
125 - 245€ 0,494€ 2,47
250 - 495€ 0,464€ 2,32
500+€ 0,433€ 2,16

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75 V

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Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

140 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

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56 nC @ 10 V

Width

4.82mm

Transistor Material

Si

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Length

10.66mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

9.02mm

Minimum Operating Temperature

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