MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 195 A 40 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
195 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Série
StrongIRFET
Type de conditionnement
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Tension de seuil minimale de la grille
2.2V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
460 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
16.51mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 2,67
€ 2,67 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
1
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N
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40 V
Série
StrongIRFET
Type de conditionnement
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Tension de seuil minimale de la grille
2.2V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
460 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
16.51mm
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Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
MOSFET Transistors, Infineon
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