Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
HEXFET
Type de conditionnement
PQFN
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium
€ 63,06
€ 0,505 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
125
€ 63,06
€ 0,505 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
125
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
125 - 225 | € 0,505 | € 12,61 |
250 - 600 | € 0,483 | € 12,08 |
625 - 1225 | € 0,319 | € 7,98 |
1250+ | € 0,256 | € 6,39 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
HEXFET
Type de conditionnement
PQFN
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium