MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 128 A 75 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
128 A
Tension Drain Source maximum
75 V
Séries
HEXFET
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
79 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
9.65mm
Taille
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N 60 à 80 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 10,46
€ 2,092 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,092 | € 10,46 |
| 25 - 45 | € 1,989 | € 9,95 |
| 50 - 120 | € 1,903 | € 9,51 |
| 125 - 245 | € 1,779 | € 8,90 |
| 250+ | € 1,674 | € 8,37 |
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N
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128 A
Tension Drain Source maximum
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CMS
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3
Résistance Drain Source maximum
5,8 mΩ
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Enrichissement
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4V
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±20 V
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1
Longueur
10.67mm
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
9.65mm
Taille
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
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Tension directe de la diode
1.3V
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