MOSFET Infineon canal N, D2PAK-7 240 A 60 V, 7 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
240 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type d'emballage
D2PAK-7
Séries
StrongIRFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
1,95 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
290 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
200 nC @ 10 V
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Taille
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 1 285,94
€ 1,607 Each (On a Reel of 800) (hors TVA)
800
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StrongIRFET
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CMS
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7
Résistance Drain Source maximum
1,95 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
290 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
200 nC @ 10 V
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Taille
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
MOSFET Transistors, Infineon
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