Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
190 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB
Séries
HEXFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
370 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Charge de Grille type @ Vgs
87 nC @ 4,5 V
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
9.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 6,88
€ 3,438 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
2
€ 6,88
€ 3,438 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
2
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
2 - 18 | € 3,438 | € 6,88 |
20 - 48 | € 2,922 | € 5,84 |
50 - 98 | € 2,751 | € 5,50 |
100 - 198 | € 2,54 | € 5,08 |
200+ | € 2,37 | € 4,74 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
190 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB
Séries
HEXFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
370 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Charge de Grille type @ Vgs
87 nC @ 4,5 V
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
9.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.