MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 180 A 100 V, 3 broches

N° de stock RS: 688-7216Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IRLB4030PBFDistrelec Article No.: 30284088
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

190 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de boîtier

TO-220AB

Séries

HEXFET

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

4 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

370 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-16 V, +16 V

Charge de Grille type @ Vgs

87 nC @ 4,5 V

Largeur

4.83mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.67mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

9.02mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon

MOSFET de commande moteur

Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.

MOSFET redresseur synchrone

La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 6,88

€ 3,438 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
2 - 18€ 3,438€ 6,88
20 - 48€ 2,922€ 5,84
50 - 98€ 2,751€ 5,50
100 - 198€ 2,54€ 5,08
200+€ 2,37€ 4,74

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Nombre de broche

3

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370 W

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Largeur

4.83mm

Matériau du transistor

Si

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Longueur

10.67mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Taille

9.02mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

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