Documents techniques
Spécifications
Type de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SO-8
Séries
IRF7424PbF
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
22 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Charge de Grille type @ Vgs
75 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4mm
Longueur
5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1.5mm
€ 2 058,48
€ 0,515 Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
€ 2 058,48
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4000
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Type de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SO-8
Séries
IRF7424PbF
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
22 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
20 V
Charge de Grille type @ Vgs
75 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4mm
Longueur
5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1.5mm