Transistor MOSFET International Rectifier canal P, SOT-23 4,3 A 12 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
125 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.05mm
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC @ 5 V
Largeur
1.4mm
Séries
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.01mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
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P
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12 V
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
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1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.05mm
Charge de Grille type @ Vgs
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