MOSFET IXYS canal N, SOT-227 145 A 650 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
145 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
HiperFET
Type de conditionnement
SOT-227
Type de montage
Screw Mount
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
17 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
1.04 kW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
25.07mm
Longueur
38.23mm
Charge de Grille type @ Vgs
335 @ 10 V nC
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.4V
Taille
9.6mm
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€ 47,41
€ 47,41 Each (hors TVA)
1
€ 47,41
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 47,41 |
| 5+ | € 42,43 |
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N
Courant continu de Drain maximum
145 A
Tension Drain Source maximum
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Séries
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Type de conditionnement
SOT-227
Type de montage
Screw Mount
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
17 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
1.04 kW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
25.07mm
Longueur
38.23mm
Charge de Grille type @ Vgs
335 @ 10 V nC
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