MOSFET IXYS canal N, SOT-227 200 A 100 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Séries
Polar HiPerFET
Type de conditionnement
SOT-227
Type de montage
Montage à visser
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum
7,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
680 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
25.07mm
Longueur
38.23mm
Charge de Grille type @ Vgs
235 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Taille
9.6mm
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 223,97
€ 22,397 Each (In a Tube of 10) (hors TVA)
10
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
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680 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
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1
Largeur
25.07mm
Longueur
38.23mm
Charge de Grille type @ Vgs
235 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Taille
9.6mm
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