MOSFET IXYS canal N, SOT-227 24 A 1000 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
24 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
Séries
HiperFET
Type d'emballage
SOT-227
Type de montage
Screw Mount
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
390 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5.5V
Dissipation de puissance maximum
568 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
25.42mm
Longueur
38.23mm
Charge de Grille type @ Vgs
267 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.6mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 480,84
€ 48,084 Each (In a Tube of 10) (hors TVA)
10
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5.5V
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Single
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±20 V
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1
Largeur
25.42mm
Longueur
38.23mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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