MOSFET IXYS canal N, PLUS247 80 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
HiperFET, Polar3
Type d'emballage
PLUS247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
1.3 kW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.21mm
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
190 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
21.34mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar3™
Une gamme de transistors MOSFETS de puissance à canal N, série IXYS Polar3™, avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 396,89
€ 13,23 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 396,89
€ 13,23 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Séries
HiperFET, Polar3
Type d'emballage
PLUS247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
1.3 kW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.21mm
Longueur
16.13mm
Charge de Grille type @ Vgs
190 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
21.34mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar3™
Une gamme de transistors MOSFETS de puissance à canal N, série IXYS Polar3™, avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.