MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 360 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
360 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
420 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 86,40
€ 0,029 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | € 0,029 | € 86,40 |
| 9000+ | € 0,027 | € 82,08 |
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3
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1.6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
420 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
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