MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 1,05 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1,05 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.85V
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
417 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
3,9 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
MOSFET N-Channel, jusqu'à 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 253,09
€ 0,084 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.85V
Tension de seuil minimale de la grille
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Dissipation de puissance maximum
417 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
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Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
3,9 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
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