MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 330 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
330 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
BSN20BK
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.8 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
1,67 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,49 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 80,76
€ 0,135 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
600
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Paquet de production (Bobine)
600
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 600 - 1400 | € 0,135 | € 13,46 |
| 1500+ | € 0,116 | € 11,56 |
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NexperiaType de canal
N
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330 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
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Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.8 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
1,67 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,49 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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