MOSFET Nexperia canal N, SOT-323 320 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
320 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-323
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.6V
Tension de seuil minimale de la grille
0.48V
Dissipation de puissance maximum
310 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 13,02
€ 0,26 Each (On a Reel of 50) (hors TVA)
Standard
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 550 | € 0,26 | € 13,02 |
| 600 - 1450 | € 0,072 | € 3,58 |
| 1500+ | € 0,059 | € 2,93 |
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.6V
Tension de seuil minimale de la grille
0.48V
Dissipation de puissance maximum
310 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
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