Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.5 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
PMV250EPEA
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
240 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
6.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,7 nC @ -10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 9,15
€ 0,092 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 9,15
€ 0,092 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
100 - 500 | € 0,092 | € 9,15 |
600 - 1400 | € 0,075 | € 7,51 |
1500+ | € 0,066 | € 6,57 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.5 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
PMV250EPEA
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
240 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
6.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,7 nC @ -10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit