MOSFET Nexperia canal N, LFPAK, SOT-669 100 A 30 V, 4 broches

N° de stock RS: 798-2906Marque: NexperiaN° de pièce Mfr: PSMN1R2-30YLC
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Nexperia

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

100 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type d'emballage

LFPAK, SOT-669

Type de montage

CMS

Nombre de broche

4

Résistance Drain Source maximum

1.65 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.95V

Tension de seuil minimale de la grille

1.05V

Dissipation de puissance maximum

215 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

78 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Largeur

4.1mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5mm

Matériau du transistor

Si

Taille

1.1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

Philippines

Détails du produit

MOSFET N-Channel, jusqu'à 30 V.

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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€ 7,13

€ 1,426 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Nexperia canal N, LFPAK, SOT-669 100 A 30 V, 4 broches
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Standard

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Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 7,13
10€ 14,26
15€ 21,39
20€ 28,52
25€ 35,66
30€ 42,79
35€ 49,92
40€ 57,05
45€ 64,18
50€ 71,31
55€ 78,44
60€ 85,57
65€ 92,70
70€ 99,83
75€ 106,96

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4

Résistance Drain Source maximum

1.65 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.95V

Tension de seuil minimale de la grille

1.05V

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Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

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1

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Matériau du transistor

Si

Taille

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