MOSFET NXP canal N, TO-220AB 23 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NXPType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
23 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
72 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
98 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-15 V, +15 V
Longueur
10.3mm
Largeur
4.7mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.4mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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N
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Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-15 V, +15 V
Longueur
10.3mm
Largeur
4.7mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
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