MOSFET onsemi canal N, SOT-23 300 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4,8 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
2.92mm
Largeur
1.3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
1.2mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 8,92
€ 0,089 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,089 | € 8,92 |
| 500 - 900 | € 0,077 | € 7,74 |
| 1000+ | € 0,067 | € 6,69 |
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N
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Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
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Type de montage
CMS
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3
Résistance Drain Source maximum
4,8 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
2.92mm
Largeur
1.3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
1.2mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
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