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MOSFET onsemi canal N, A-247 44 A 500 V, 3 broches

N° de stock RS: 806-3438PMarque: onsemiN° de pièce Mfr: FDH44N50
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

44 A

Tension Drain Source maximum

500 V

Série

UniFET

Type de conditionnement

TO-247

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

120 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

750 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Largeur

4.82mm

Longueur

15.87mm

Charge de Grille type @ Vgs

90 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Hauteur

20.82mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET est la famille de transistors MOSFET haute tension de Fairchild Semiconductor. Elle possède la plus petite résistance à l'état passant parmi les transistors MOSFET planaires, et offre également d'excellentes performances de commutation et une plus grande résistance à l'énergie d'avalanche. En outre, la diode PESD source de matrice interne permet au transistor MOSFET UniFET-II™ de résister à des surtensions Modèle du corps humain de plus de 2 000 V.
Les transistors MOSFET UniFET™ sont adaptés aux applications de convertisseurs d'alimentation à découpage, telles que la correction de facteur de puissance, l'alimentation de téléviseurs à écrans plats, les alimentations ATX (Advanced Technology eXtended) et les ballasts de lampes électroniques.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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€ 7,40 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

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Type de conditionnement

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Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

120 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

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Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Largeur

4.82mm

Longueur

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Charge de Grille type @ Vgs

90 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Hauteur

20.82mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET est la famille de transistors MOSFET haute tension de Fairchild Semiconductor. Elle possède la plus petite résistance à l'état passant parmi les transistors MOSFET planaires, et offre également d'excellentes performances de commutation et une plus grande résistance à l'énergie d'avalanche. En outre, la diode PESD source de matrice interne permet au transistor MOSFET UniFET-II™ de résister à des surtensions Modèle du corps humain de plus de 2 000 V.
Les transistors MOSFET UniFET™ sont adaptés aux applications de convertisseurs d'alimentation à découpage, telles que la correction de facteur de puissance, l'alimentation de téléviseurs à écrans plats, les alimentations ATX (Advanced Technology eXtended) et les ballasts de lampes électroniques.

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