MOSFET onsemi canal N, PQFN8 12 A 150 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Série
PowerTrench
Type de boîtier
PQFN8
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
110 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
5.85mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.05mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 20,43
€ 2,043 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 20,43
€ 2,043 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 10 - 95 | € 2,043 | € 10,22 |
| 100 - 245 | € 1,594 | € 7,97 |
| 250 - 495 | € 1,542 | € 7,71 |
| 500+ | € 1,308 | € 6,54 |
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N
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12 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Série
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Type de boîtier
PQFN8
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
110 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Largeur
5.85mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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Taille
1.05mm
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Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor
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