MOSFET ON Semiconductor canal N, A-220 128 A 100 V, 3 broches

N° de stock RS: 181-1859Marque: onsemiN° de pièce Mfr: FDP4D5N10C
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

128 A

Tension Drain Source maximum

-100 V

Type de conditionnement

A-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

4,5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

150000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

4.67mm

Longueur

10.36mm

Charge de Grille type @ Vgs

48 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.3V

Taille

15.21mm

Pays d'origine

China

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€ 2 094,49

€ 2,618 Each (In a Tube of 800) (hors TVA)

MOSFET ON Semiconductor canal N, A-220 128 A 100 V, 3 broches

800

Disponible en multiples de 800
800€ 2 094,49
1600€ 4 188,98
2400€ 6 283,47
3200€ 8 377,96
4000€ 10 472,45
4800€ 12 566,94
5600€ 14 661,43
6400€ 16 755,92
7200€ 18 850,41
8000€ 20 944,90
8800€ 23 039,39
9600€ 25 133,88
10400€ 27 228,36
11200€ 29 322,85
12000€ 31 417,34

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7200€ 18 850,41
8000€ 20 944,90
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9600€ 25 133,88
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N

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Through Hole

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3

Résistance Drain Source maximum

4,5 mΩ

Mode de canal

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Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

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150000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

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1

Largeur

4.67mm

Longueur

10.36mm

Charge de Grille type @ Vgs

48 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

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