MOSFET onsemi canal N, SOIC 10,8 A 40 V, 8 broches

N° de stock RS: 166-2602Marque: onsemiN° de pièce Mfr: FDS4480
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

10.8 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Série

PowerTrench

Type de conditionnement

SOIC W

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

12 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

2.5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-20 V, +30 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

4mm

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

29 nC@ 10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

1.5mm

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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€ 1 003,17

€ 0,401 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)

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Résistance Drain Source maximum

12 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

2.5 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

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1

Largeur

4mm

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

29 nC@ 10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

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Hauteur

1.5mm

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