MOSFET onsemi canal N, SOIC 10,8 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10.8 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type d'emballage
SOIC W
Séries
PowerTrench
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
12 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-20 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
29 nC@ 10 V
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 29,12
€ 0,582 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 0,582 | € 2,91 |
| 100 - 495 | € 0,504 | € 2,52 |
| 500 - 995 | € 0,444 | € 2,22 |
| 1000+ | € 0,404 | € 2,02 |
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N
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10.8 A
Tension Drain Source maximum
40 V
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Séries
PowerTrench
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
12 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-20 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
29 nC@ 10 V
Taille
1.5mm
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-55 °C
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Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 10 A à 19,9 A, Fairchild Semiconductor
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