MOSFET onsemi canal N, TO-3PN 8 A 1 000 V, 3 broches

N° de stock RS: 671-4972Marque: onsemiN° de pièce Mfr: FQA8N100C
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

8 A

Tension Drain Source maximum

1000 V

Séries

QFET

Type de boîtier

TO-3PN

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1.45 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

225 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

53 nC @ 10 V

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.8mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

18.9mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

Malaysia

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 6 à 10,9 A, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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QuantitéPrix unitaire
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10+€ 2,33

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Résistance Drain Source maximum

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Mode de canal

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Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

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1

Longueur

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Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

18.9mm

Température de fonctionnement minimum

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Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 6 à 10,9 A, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

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